Процесс спекания карбида кремния в керамике

---

Карбидокремниевая керамика является новой и с хорошими характеристиками фрикционного материала. Она отличается легким весом, высокой теплоемкостью и высокой устойчивостью к радиации; и обладает свойством высокого самосмазывающегося низкого коэффициента трения, высокой твердости, износостойкости, хороших парных характеристик, высокой химической стабильности, коррозионной стойкости, хорошей теплопроводности, высокой термостойкости и т. д. С 1980-х годов основные отечественные и зарубежные механические Компании, производящие герметики, используют карбид кремния в качестве нового поколения пар материалов с высоким коэффициентом трения и механического уплотнительного материала.

В соответствии с другим производственным процессом, характеристики изделий из карбида кремния также различаются. Основываясь на способе изготовления, его в основном называют SiC для реакционного спекания, SiC для атмосферного спекания, SiC для горячего прессования и так далее.

Реактивное спекание SiC:

Реакционный спеченный SiC состоит из порошка α-SiC, порошка графита, флюса и связующего.

После их смешивания и формования его помещают в тигель, заполненный кремнеземным паром. Поместите тигель в вакуум и нагрейте его до 1600-1800 silicon. Кремний вступает в реакцию с углеродом в тигле с образованием β-SiC, образуя плотное спеченное тело, состоящее из α-SiC, β-SiC и свободного кремния (от 10 до 20%). Благодаря наличию свободного свободного кремния коррозионная стойкость реакционноспособного спеченного SiC снижается и возникает коррозия в сильных и сильных окислительных средах.

Преимущество SiC, полученного в результате реакции спекания, состоит в том, что конечный продукт имеет небольшую усадку и хорошую стойкость к тепловому удару, что подходит для массового производства с небольшими инвестициями. Что касается конечного продукта, он обладает лучшим эффектом, чем используемый в растворном насосе и шламовом насосе.

Спекание SiC без давления:

Спекание SiC без давления (нормальное давление) использует ультрадисперсный порошок SiC (размер частиц около 0,1-0,2 мкм), добавляет соответствующие добавки и производит адгезионное прессование. Затем при температуре спекания 2000-2200.. Во время процесса спекания ультратонкие частицы карбида кремния образуют кристалл карбида кремния толщиной 5-8 мкм, плотность которого составляет до 97% или более, а коррозионная стойкость лучше, чем у спеченного SiC. делать различные формы и гибки и обработки для более сложной формы изделий.

Спекание SiC горячего прессования

Спеченный SiC горячего прессования подходит для порошка SiC с размером частиц менее 1 мкм с соответствующими добавками, которые упакованы в графитовую форму и спечены в печи горячего прессования при 2000-2100 ℃ (30-50 МПа). Это самый компактный SiC по сравнению с процессом спекания с лучшей химической стабильностью. Этот вид спекания является наиболее дорогостоящим и подходит для высокопрофильных условий уплотнения.